半导体材料研究的新进展

　　作者简介王占国，年生，半导体材料物理学家，中科学院院士。现任中科院半导体所研究员、半导体材料科学重点实验室学委会主任和多个国际会议顾问委员会委员。主要从事半导体材料和材料物理研究，在半导体深能级物理和光谱物理研究，半导体低维结构生长、性质和量子器件研制等方面，取得多项成果。先后获国家自然科学二等奖、国家科技进步三等奖，中科院自然科学一等奖和科技进步一、二和三等奖及何梁何利科技进步奖等多项，在国内外学术刊物和国际会议发表论文多篇，被引用数百次。
　　摘要本文重点对半导体硅材料，和单晶材料，半导体超晶格、量子阱材料，一维量子线、零维量子点半导体微结构材料，宽带隙半导体材料，光子晶体材料，量子比特构建与材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述。最后，提出了发展我国半导体材料的建议。
　　关键词半导体材料量子线量子点材料光子晶体
　　半导体材料的战略地位
　　上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；上世纪年代初石英光导纤维材料和激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改
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